TO-252 IPD33CN10NG Kalitate handiko txip transistorearekin Prezio berria eta originala
Produktuaren ezaugarriak
| MOTA | DESKRIBAPENA |
| Kategoria | Produktu erdieroale diskretuak |
| Mfr | Infineon Teknologiak |
| Seriea | OptiMOS™ |
| Paketea | Zinta eta bobina (TR) Moztutako zinta (CT) Digi-Reel® |
| Produktuaren egoera | Aktiboa |
| FET mota | N kanala |
| Teknologia | MOSFET (Metal Oxidoa) |
| Iturbururako tentsioa drainatzea (Vdss) | 100 V |
| Korrontea - Etengabeko drainamendua (Id) @ 25 °C | 27A (Tc) |
| Drive-tentsioa (Max Rds aktibatuta, Min Rds aktibatuta) | 10V |
| Rds aktibatuta (gehienez) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 27 A, 10 V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 29µA |
| Atearen karga (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Vgs (gehienez) | ±20V |
| Sarrerako kapazitatea (Ciss) (Max) @ Vds | 1570 pF @ 50 V |
| FET Ezaugarri | - |
| Potentzia xahutzea (gehienez) | 58 W (Tc) |
| Funtzionamendu-tenperatura | -55 °C ~ 175 °C (TJ) |
| Muntatze Mota | Gainazaleko muntaia |
| Hornitzaileen gailuen paketea | PG-TO252-3 |
| Paketea / Kaxa | TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63 |
| Oinarrizko produktuaren zenbakia | IPD33CN10 |
Eman produktuari buruzko informazioaren errorea
Ikusi antzekoa
Dokumentuak eta komunikabideak
| BALIABIDE MOTA | LOTURA |
| Fitxa teknikoak | IPx3xCN10N G |
| Lotutako beste dokumentu batzuk | Parte-zenbakien gida |
| Produktu nabarmendua | Datuak Tratatzeko Sistemak |
| HTML fitxa teknikoa | IPx3xCN10N G |
| Simulazio-ereduak | MOSFET OptiMOS™ 100V N-Channel Spice eredua |
Ingurumenaren eta esportazioen sailkapenak
| ATRIBUTU | DESKRIBAPENA |
| RoHS egoera | ROHS3 betetzen du |
| Hezetasun-sentsibilitate maila (MSL) | 1 (mugagabea) |
| REACH egoera | REACH eraginik gabe |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Baliabide osagarriak
| ATRIBUTU | DESKRIBAPENA |
| Beste Izen batzuk | IPD33CN10NGATMA1-ND IPD33CN10NGATMA1CT IPD33CN10NGATMA1TR SP001127812 IPD33CN10NGATMA1DKR |
| Pakete estandarra | 2.500 |
Transistorea anplifikadoreetan edo elektronikoki kontrolatutako etengailuetan erabili ohi den gailu erdieroale bat da.Transistoreak ordenagailuen, telefono mugikorren eta gainerako zirkuitu elektroniko moderno guztien funtzionamendua erregulatzen duten oinarrizko blokeak dira.
Erantzun-abiadura azkarra eta zehaztasun handia direla eta, transistoreak hainbat funtzio digital eta analogikotarako erabil daitezke, besteak beste, anplifikazioa, kommutazioa, tentsio-erregulatzailea, seinalearen modulazioa eta osziladorea.Transistoreak banaka edo oso eremu txiki batean ontziratu daitezke, 100 milioi transistore edo gehiago eduki ditzaketen zirkuitu integratuaren zati gisa.
Hodi elektronikoarekin alderatuta, transistoreak abantaila asko ditu:
Osagaiak ez du kontsumorik
Hodia zein ona den, pixkanaka-pixkanaka hondatuko da katodo-atomoen aldaketak eta aire-ihes kronikoak direla eta.Arrazoi teknikoengatik, transistoreek arazo bera izan zuten lehen aldiz egin zirenean.Materialen aurrerapenekin eta alderdi askotan hobekuntzarekin, transistoreek normalean hodi elektronikoek baino 100 eta 1.000 aldiz gehiago irauten dute.
Oso energia gutxi kontsumitu
Hodi elektronikoaren hamarren bat edo hamarren bat baino ez da.Ez du harizpiak berotu behar elektroi askeak ekoizteko, hodi elektronikoa bezala.Irrati transistore batek bateria lehor batzuk baino ez ditu behar urtean sei hilabetez entzuteko, eta hori zaila da hodiko irratirako.
Ez da aurrez berotu behar
Piztu bezain laster lan egin.Adibidez, irrati transistore bat piztu bezain laster itzaltzen da, eta telebista transistore batek argazki bat ezartzen du piztu bezain pronto.Hutseko hodi ekipoek ezin dute hori egin.Abiarazi ondoren, itxaron pixka bat soinua entzuteko, ikusi irudia.Bistan denez, militar, neurketa, grabaketa, etab., transistoreak oso abantailatsuak dira.
Indartsua eta fidagarria
Hodi elektronikoa baino 100 aldiz fidagarriagoa, talkaren erresistentzia, bibrazio erresistentzia, hodi elektronikoaren paregabea dena.Horrez gain, transistorearen tamaina elektroi-hodiaren tamainaren hamarrenetik ehunena baino ez da, oso bero askapen txikia erabil daiteke zirkuitu txiki, konplexu eta fidagarriak diseinatzeko.Transistoreen fabrikazio-prozesua zehatza den arren, prozesua sinplea da, eta horrek osagaien instalazio-dentsitatea hobetzeko lagungarria da.
