STF13N80K5 Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-pin (3+Tab) TO-220FP Hodia
Produktuaren ezaugarriak
| EBko RoHS | Salbuespena betetzea |
| ECCN (AEB) | EAR99 |
| Zatiaren egoera | Aktiboa |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| SVHC | Bai |
| SVHC atalasea gainditzen du | Bai |
| Automozioa | No |
| PPAP | No |
| Produktu Kategoria | Potentzia MOSFET |
| Konfigurazioa | Bakarra |
| Prozesuen Teknologia | SuperMELA |
| Kanal modua | Hobekuntza |
| Kanal mota | N |
| Txip bakoitzeko Elementu kopurua | 1 |
| Drain-iturriaren tentsio maximoa (V) | 800 |
| Gehienezko ate-iturriaren tentsioa (V) | ±30 |
| Atearen atalasearen gehienezko tentsioa (V) | 5 |
| Funtzionamendu-junturaren tenperatura (°C) | -55etik 150era |
| Gehienezko drainatze-korronte jarraitua (A) | 12 |
| Gehienezko ate-iturriaren ihes-korrontea (nA) | 10000 |
| Gehienezko IDSS (uA) | 1 |
| Drain-iturriaren erresistentzia maximoa (mOhm) | 450@10V |
| Atearen karga tipikoa @ Vgs (nC) | 27@10V |
| Atearen karga tipikoa @ 10V (nC) | 27 |
| Sarrerako gaitasun tipikoa @ Vds (pF) | 870@100V |
| Gehienezko potentzia xahutzea (mW) | 35000 |
| Jaitsiera-denbora tipikoa (ns) | 16 |
| Igoera-denbora tipikoa (ns) | 16 |
| Itzaltzeko atzerapen-denbora tipikoa (ns) | 42 |
| Pizteko atzerapen-denbora tipikoa (ns) | 16 |
| Gutxieneko funtzionamendu-tenperatura (°C) | -55 |
| Funtzionamendu-tenperatura maximoa (°C) | 150 |
| Hornitzaileen Tenperatura-maila | Industriala |
| Enbalajea | Hodia |
| Gehienezko ate-iturriaren tentsio positiboa (V) | 30 |
| Diodoaren Gehienezko Aurrerako Tentsioa (V) | 1.5 |
| Muntaketa | Zulo bidez |
| Paketearen altuera | 16,4 (gehienez) |
| Paketearen zabalera | 4,6 (gehienez) |
| Paketearen luzera | 10,4 (gehienez) |
| PCB aldatu da | 3 |
| fitxa | fitxa |
| Paketearen izena estandarra | TO |
| Hornitzaileen paketea | TO-220FP |
| Pin zenbaketa | 3 |
| Berun Forma | Zulo bidez |
sarrera
Eremu-efektuko hodi bat dagailu elektronikoazirkuitu elektroniko bateko korrontea kontrolatzeko eta erregulatzeko erabiltzen da.Korronte-irabazi oso altua duen triodo txiki bat da.Zirkuitu elektronikoetan oso erabiliak izan dira fetak, esaterakopotentzia anplifikadorea, anplifikadorearen zirkuitua, iragazki zirkuitua,kommutazio-zirkuituaeta abar.
Eremu-efektuaren hodiaren printzipioa eremu-efektua da, hau da, material erdieroale batzuei erreferentzia egiten dien fenomeno elektrikoa, hala nola silizioa, aplikatutako eremu elektriko bat aplikatu ondoren, bere elektroien jarduera nabarmen hobetzen da, eta horrela bere eroalea aldatzen da. propietateak.Beraz, elektriko bat badac eremua material erdieroale baten gainazalean aplikatzen da, bere propietate eroaleak kontrola daitezke, korrontea erregulatzeko helburua lortzeko.
Fetak N motako fetetan eta P motako fetetan banatzen dira.N motako Fets N motako material erdieroaleez eginak daude, aurrerako eroankortasun handikoa eta alderantzizko eroankortasun baxua dutenak.P motako Fets P motako material erdieroaleez egina dago, alderantzizko eroankortasun handikoa eta aurrerako eroankortasun baxua dutenak.N-motako eremu-efektuko hodiak eta P motako eremu-efektuko hodiak osatutako eremu-efektuko hodiak korronte-kontrola lor dezake.
FETaren ezaugarri nagusia korronte irabazi handia duela da, maiztasun handiko eta sentsibilitate handiko zirkuituetarako egokia dena, eta zarata baxuko eta ebakitze zarata baxuaren ezaugarriak dituela.Gainera, potentzia-kontsumo baxuaren, bero xahutze baxuaren, egonkortasunaren eta fidagarritasunaren abantailak ditu, eta korronte kontrolerako elementu ezin hobea da.
Fet-ek triodo arrunten antzera funtzionatzen dute, baina korronte irabazi handiagoarekin.Bere lan-zirkuitua, oro har, hiru zatitan banatzen da: iturria, draina eta kontrola.Sorburuak eta hustubideak korrontearen bidea osatzen dute, kontrol-poloak korrontearen emaria kontrolatzen du.Kontrol-poloari tentsio bat aplikatzen zaionean, korrontearen fluxua kontrolatu daiteke, korrontea erregulatzeko helburua lortzeko.
Aplikazio praktikoetan, Fets maiz erabiltzen dira maiztasun handiko zirkuituetan, hala nola potentzia-anplifikadoreetan, iragazki-zirkuituetan, kommutazio-zirkuituetan, etab. Esate baterako, potentzia-anplifikagailuetan, Fets-ek sarrerako korrontea anplifikatu dezake, eta, ondorioz, irteerako potentzia handitu;Iragazki-zirkuituan, eremu-efektuko hodiak zirkuituko zarata iragazi dezake.Kommutazio-zirkuituan, FET-ak aldatze-funtzioaz jabetu daiteke.
Oro har, Fets osagai elektroniko garrantzitsuak dira eta oso erabiliak dira zirkuitu elektronikoetan.Korronte irabazi handia, potentzia-kontsumo txikia, egonkortasuna eta fidagarritasuna ezaugarriak ditu eta korronte kontrolerako elementu ezin hobea da.
