ordena_bg

Produktuak

  • IPD031N06L3G jatorrizko osagai elektronikoen ic chip MCU BOM zerbitzua stockean IPD031N06L3G

    IPD031N06L3G jatorrizko osagai elektronikoen ic chip MCU BOM zerbitzua stockean IPD031N06L3G

    Produktuaren ezaugarriak MOTA DESKRIBAPENA Kategoria Produktu erdieroale diskretuak Transistoreak – FETak, MOSFETak – Fabrikatzaile bakarra Infineon Technologies Seriea OptiMOS™ Pakete Zinta eta Bobina (TR) Zinta Moztua (CT) Digi-Reel® Produktuaren egoera FET aktibo mota N-Channel Teknologia MOSFET (Metal Oxidoa) ) Iturbururako tentsioa drainatzea (Vdss) 60 V Korrontea – Drain etengabea (Id) @ 25°C 100A (Tc) Drive-tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1 mOhm @ 100A...
  • IMZA65R072M1H IC txipak Transistoreak Osagai elektronikoak Zirkuitu integratua Kondentsadorea IMZA65R072M1H

    IMZA65R072M1H IC txipak Transistoreak Osagai elektronikoak Zirkuitu integratua Kondentsadorea IMZA65R072M1H

    Produktuaren atributuak MOTA DESKRIBAPENA Kategoria Produktu erdieroale diskretuak Transistoreak – FETak, MOSFETak – Fabrikatzaile bakarra Infineon Technologies Seriea – Paketearen Hodiaren Produktuen egoera FET mota aktiboa – Teknologia – Korrontea – Hustu etengabea (Id) @ 25°C 28A (Tc) Disko-tentsioa (Rds gehienez) Aktibatuta, Min Rds Aktibatuta) - Rds Aktibatuta (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Vgs (Max) - FET Ezaugarri - Potentzia xahutzea (Max) - Funtzionamendu-tenperatura - Oinarrizko produktuaren zenbakia IMZA6.. .
  • Aipatu BOM zerrenda IC IDW30C65D2 GSD4E-9333-TR EP1AGX50DF780C6N Zirkuitu integratua

    Aipatu BOM zerrenda IC IDW30C65D2 GSD4E-9333-TR EP1AGX50DF780C6N Zirkuitu integratua

    Produktuaren atributuak MOTA DESKRIBAPENA Kategoria Produktu erdieroale diskretuak Diodoak – Zuzentzaileak – Array Fabrikatzaileak Infineon Technologies Series Rapid 2 Pakete Hodi Produktuaren egoera Diodo aktiboaren konfigurazioa 1 bikote katodo komuna Diodo mota Tentsio estandarra – DC Alderantzizkoa (Vr) (gehienez) 650 V Korrontea – Batez bestekoa zuzendu ( Io) (diodo bakoitzeko) 15A Tentsioa – Aurrera (Vf) (Max) @ 2,2 V @ 15 A Abiadura Berreskuratze azkarra =< 500ns, > 200mA (Io) Alderantzizko berreskurapena...
  • KWM jatorrizko BSZ100 transistore berria PG-TSDSON-8 BSZ100N06NS zirkuitu integratua IC txipa stockan

    KWM jatorrizko BSZ100 transistore berria PG-TSDSON-8 BSZ100N06NS zirkuitu integratua IC txipa stockan

    Produktuaren ezaugarriak MOTA DESKRIBAPENA Kategoria Produktu erdieroale diskretuak Transistoreak – FETak, MOSFETak – Fabrikatzaile bakarra Infineon Technologies Seriea OptiMOS™ Pakete Zinta eta Bobina (TR) Zinta Moztua (CT) Digi-Reel® Produktuaren egoera FET aktibo mota N-Channel Teknologia MOSFET (Metal Oxidoa) ) Iturbururako tentsioa drainatzea (Vdss) 60 V korrontea – drainatze etengabea (Id) @ 25°C 40A (Tc) Drive-tentsioa (Max Rds aktibatuta, Min Rds aktibatuta) 6V, 10V Rds aktibatuta (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 20A, 10V...
  • AUIRG4PH50S BSZ060NE2LS ISP752RFUMA1 IR3889MTRPBF IC Txipa Jatorrizko Zirkuitu Integratua

    AUIRG4PH50S BSZ060NE2LS ISP752RFUMA1 IR3889MTRPBF IC Txipa Jatorrizko Zirkuitu Integratua

    Produktuaren ezaugarriak MOTA DESKRIBAPENA Kategoria Produktu erdieroale diskretuak Transistoreak – FETak, MOSFETak – Fabrikatzaile bakarra Infineon Technologies Seriea OptiMOS™ Pakete Zinta eta Bobina (TR) Zinta Moztua (CT) Digi-Reel® Produktuaren egoera FET aktibo mota N-Channel Teknologia MOSFET (Metal Oxidoa) ) Iturbururako tentsioa drainatzea (Vdss) 25 V-ko korrontea – drainatze etengabea (Id) @ 25°C 12A (Ta), 40A (Tc) Drive-tentsioa (Max. @ Id, Vgs 6mOhm...
  • (STOCK) BSS138NH6327 Osagai Elektronikoen produktu berria eta originala

    (STOCK) BSS138NH6327 Osagai Elektronikoen produktu berria eta originala

    Produktuaren ezaugarriak MOTA DESKRIBAPENA Kategoria Produktu erdieroale diskretuak Transistoreak – FETak, MOSFETak – Fabrikatzaile bakarra Infineon Technologies seriea SIPMOS® Paketea Zinta eta bobina (TR) Zinta moztua (CT) Digi-Reel® Produktuaren egoera FET aktibo mota N-Channel Teknologia MOSFET (Metal Oxidoa) ) Iturbururako tentsioa drainatzea (Vdss) 60 V Korrontea – Drain etengabea (Id) @ 25 °C 230 mA (Ta) Drive-tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) 4,5 V, 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3,5 Ohm @ 230mA...
  • Jatorrizko berria eskuragarri MOSFET transistore diodo tiristorea SOT-223 BSP125H6327 IC txipa osagai elektronikoa

    Jatorrizko berria eskuragarri MOSFET transistore diodo tiristorea SOT-223 BSP125H6327 IC txipa osagai elektronikoa

    Produktuaren ezaugarriak MOTA DESKRIBAPENA Kategoria Produktu erdieroale diskretuak Transistoreak – FETak, MOSFETak – Fabrikatzaile bakarra Infineon Technologies seriea SIPMOS® Paketea Zinta eta bobina (TR) Zinta moztua (CT) Digi-Reel® Produktuaren egoera FET aktibo mota N-Channel Teknologia MOSFET (Metal Oxidoa) ) Iturbururako tentsioa drainatzea (Vdss) 600 V Korrontea – Drain etengabea (Id) @ 25°C 120mA (Ta) Drive-tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 45Ohm @120mA...
  • Jatorrizko MOSFET TDSON-8 BSC0902NSI berria

    Jatorrizko MOSFET TDSON-8 BSC0902NSI berria

    Produktuaren ezaugarriak MOTA DESKRIBAPENA Kategoria Produktu erdieroale diskretuak Transistoreak – FETak, MOSFETak – Fabrikatzaile bakarra Infineon Technologies Seriea OptiMOS™ Pakete Zinta eta Bobina (TR) Zinta Moztua (CT) Digi-Reel® Produktuaren egoera FET aktibo mota N-Channel Teknologia MOSFET (Metal Oxidoa) ) Iturbururako tentsioa drainatzea (Vdss) 30 V-ko korrontea – drainatze etengabea (Id) @ 25°C 23A (Ta), 100 A (Tc) Drive-tentsioa (Gehien. @ Id, Vgs 2.8m...
  • Berria eskuragarri dagoen zirkuitu integratua TLE4250-2G IRF7495TRPBF BSC160N10NS3G IPB120P04P4L03 Ic txipa

    Berria eskuragarri dagoen zirkuitu integratua TLE4250-2G IRF7495TRPBF BSC160N10NS3G IPB120P04P4L03 Ic txipa

    Produktuaren ezaugarriak MOTA DESKRIBAPENA Kategoria Produktu erdieroale diskretuak Transistoreak – FETak, MOSFETak – Fabrikatzaile bakarra Infineon Technologies Seriea OptiMOS™ Pakete Zinta eta Bobina (TR) Zinta Moztua (CT) Digi-Reel® Produktuaren egoera FET aktibo mota N-Channel Teknologia MOSFET (Metal Oxidoa) ) Iturbururako tentsioa drainatzea (Vdss) 100 V Korrontea – Hustu etengabea (Id) @ 25 °C 8,8 A (Ta), 42 A (Tc) Drive-tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) 6 V, 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOh...
  • BSC100N06LS3G Zirkuitu integratua berria eta originala

    BSC100N06LS3G Zirkuitu integratua berria eta originala

    Produktuaren ezaugarriak MOTA DESKRIBAPENA Kategoria Produktu erdieroale diskretuak Transistoreak – FETak, MOSFETak – Fabrikatzaile bakarra Infineon Technologies Seriea OptiMOS™ Pakete Zinta eta Bobina (TR) Zinta Moztua (CT) Digi-Reel® Produktuaren egoera FET aktibo mota N-Channel Teknologia MOSFET (Metal Oxidoa) ) Iturbururako tentsioa drainatzea (Vdss) 60 V Korrontea – Hustu etengabea (Id) @ 25°C 12A (Ta), 50A (Tc) Drive-tentsioa (Gehien. @ Id, Vgs 10mOh...
  • BSC070N10NS3G IPD50P04P4L11 SLM9670AQ20FW1311XTMA1 BTS3125EJ Ic txipa Jatorrizko osagai elektronikoa

    BSC070N10NS3G IPD50P04P4L11 SLM9670AQ20FW1311XTMA1 BTS3125EJ Ic txipa Jatorrizko osagai elektronikoa

    Produktuaren ezaugarriak MOTA DESKRIBAPENA Kategoria Produktu erdieroale diskretuak Transistoreak – FETak, MOSFETak – Fabrikatzaile bakarra Infineon Technologies Seriea OptiMOS™ Pakete Zinta eta Bobina (TR) Zinta Moztua (CT) Digi-Reel® Produktuaren egoera FET aktibo mota N-Channel Teknologia MOSFET (Metal Oxidoa) ) Iturbururako tentsioa drainatzea (Vdss) 100 V Korrontea – Hustu etengabea (Id) @ 25°C 90A (Tc) Drive-tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 50A, 10V...
  • AQX BSC060N10NS3G Zirkuitu integratuko ic txip berria eta originala BSC060N10NS3G Produktuen ezaugarriak

    AQX BSC060N10NS3G Zirkuitu integratuko ic txip berria eta originala BSC060N10NS3G Produktuen ezaugarriak

    Produktuaren ezaugarriak MOTA DESKRIBAPENA Kategoria Produktu erdieroale diskretuak Transistoreak – FETak, MOSFETak – Fabrikatzaile bakarra Infineon Technologies Seriea OptiMOS™ Pakete Zinta eta Bobina (TR) Zinta Moztua (CT) Digi-Reel® Produktuaren egoera FET aktibo mota N-Channel Teknologia MOSFET (Metal Oxidoa) ) Iturbururako tentsioa drainatzea (Vdss) 100 V Korrontea – Hustu etengabea (Id) @ 25 °C 14,9 A (Ta), 90 A (Tc) Drive-tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) 6 V, 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOh...