ordena_bg

Produktuak

  • Quote BOM Zerrenda IC IDW30C65D2 Kalitate handiko zirkuitu integratua

    Quote BOM Zerrenda IC IDW30C65D2 Kalitate handiko zirkuitu integratua

    Produktuaren atributuak MOTA DESKRIBAPENA Kategoria Produktu erdieroale diskretuak Diodoak – Zuzentzaileak – Array Fabrikatzaileak Infineon Technologies Series Rapid 2 Pakete Hodi Produktuaren egoera Diodo aktiboaren konfigurazioa 1 bikote katodo komuna Diodo mota Tentsio estandarra – DC Alderantzizkoa (Vr) (gehienez) 650 V Korrontea – Batez bestekoa zuzendu ( Io) (diodo bakoitzeko) 15A Tentsioa – Aurrera (Vf) (Max) @ 2,2 V @ 15 A Abiadura Berreskuratze azkarra =< 500ns, > 200mA (Io) Alderantzizko berreskurapena...
  • Jatorrizko BSZ100 Transistore berria PG-TSDSON-8 BSZ100N06NS Zirkuitu integratua IC txipa stockan

    Jatorrizko BSZ100 Transistore berria PG-TSDSON-8 BSZ100N06NS Zirkuitu integratua IC txipa stockan

    Produktuaren ezaugarriak MOTA DESKRIBAPENA Kategoria Produktu erdieroale diskretuak Transistoreak – FETak, MOSFETak – Fabrikatzaile bakarra Infineon Technologies Seriea OptiMOS™ Pakete Zinta eta Bobina (TR) Zinta Moztua (CT) Digi-Reel® Produktuaren egoera FET aktibo mota N-Channel Teknologia MOSFET (Metal Oxidoa) ) Iturbururako tentsioa drainatzea (Vdss) 60 V korrontea – drainatze etengabea (Id) @ 25°C 40A (Tc) Drive-tentsioa (Max Rds aktibatuta, Min Rds aktibatuta) 6V, 10V Rds aktibatuta (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 20A, 10V...
  • BSZ060NE2LS IC Txipa Jatorrizko Zirkuitu Integratua Kalitate handiko Prezio Onenean

    BSZ060NE2LS IC Txipa Jatorrizko Zirkuitu Integratua Kalitate handiko Prezio Onenean

    Produktuaren atributuak MOTA DESKRIBAPENA Kategoria Produktu erdieroale diskretuakTransistoreak – FETak, MOSFETak – Fabrikatzaile bakarra Infineon Technologies seriea OptiMOS™ Pakete-zinta eta bobina (TR)Zinta moztua (CT) Digi-Reel® Produktuaren egoera FET aktibo mota N-Channel Teknologia MOSFET (Metal Oxidoa) Iturbururako tentsioa (Vdss) 25 V-ko korrontea – drainatze jarraitua (Id) @ 25°C 12A (Ta), 40 A (Tc) Disko-tentsioa (Max Rds aktibatuta, Min Rds aktibatuta) 4,5 V, 10 V Rds piztuta (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @...
  • (STOCK) BSS138NH6327 Osagai Elektronikoen produktu berria eta originala

    (STOCK) BSS138NH6327 Osagai Elektronikoen produktu berria eta originala

    Produktuaren ezaugarriak MOTA DESKRIBAPENA Kategoria Produktu erdieroale diskretuak Transistoreak – FETak, MOSFETak – Fabrikatzaile bakarra Infineon Technologies seriea SIPMOS® Paketea Zinta eta bobina (TR) Zinta moztua (CT) Digi-Reel® Produktuaren egoera FET aktibo mota N-Channel Teknologia MOSFET (Metal Oxidoa) ) Iturbururako tentsioa drainatzea (Vdss) 60 V Korrontea – Drain etengabea (Id) @ 25 °C 230 mA (Ta) Drive-tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) 4,5 V, 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3,5 Ohm @ 230mA...
  • Jatorrizko berria eskuragarri MOSFET transistore diodo tiristorea SOT-223 BSP125H6327 IC txipa osagai elektronikoa

    Jatorrizko berria eskuragarri MOSFET transistore diodo tiristorea SOT-223 BSP125H6327 IC txipa osagai elektronikoa

    Produktuaren ezaugarriak MOTA DESKRIBAPENA Kategoria Produktu erdieroale diskretuak Transistoreak – FETak, MOSFETak – Fabrikatzaile bakarra Infineon Technologies seriea SIPMOS® Paketea Zinta eta bobina (TR) Zinta moztua (CT) Digi-Reel® Produktuaren egoera FET aktibo mota N-Channel Teknologia MOSFET (Metal Oxidoa) ) Iturbururako tentsioa drainatzea (Vdss) 600 V Korrontea – Drain etengabea (Id) @ 25°C 120mA (Ta) Drive-tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 45Ohm @120mA...
  • Jatorrizko MOSFET TDSON-8 BSC0902NSI kalitate handiko prezioarekin

    Jatorrizko MOSFET TDSON-8 BSC0902NSI kalitate handiko prezioarekin

    Produktuaren ezaugarriak MOTA DESKRIBAPENA Kategoria Produktu erdieroale diskretuak Transistoreak – FETak, MOSFETak – Fabrikatzaile bakarra Infineon Technologies Seriea OptiMOS™ Pakete Zinta eta Bobina (TR) Zinta Moztua (CT) Digi-Reel® Produktuaren egoera FET aktibo mota N-Channel Teknologia MOSFET (Metal Oxidoa) ) Iturbururako tentsioa drainatzea (Vdss) 30 V-ko korrontea – drainatze etengabea (Id) @ 25°C 23A (Ta), 100 A (Tc) Drive-tentsioa (Gehien. @ Id, Vgs 2.8m...
  • Berria eta Jatorrizkoa Stockean BSC160N10NS3G Ic Chip Zirkuitu Integratua Kalitate handikoarekin

    Berria eta Jatorrizkoa Stockean BSC160N10NS3G Ic Chip Zirkuitu Integratua Kalitate handikoarekin

    Produktuaren ezaugarriak MOTA DESKRIBAPENA Kategoria Produktu erdieroale diskretuak Transistoreak – FETak, MOSFETak – Fabrikatzaile bakarra Infineon Technologies Seriea OptiMOS™ Pakete Zinta eta Bobina (TR) Zinta Moztua (CT) Digi-Reel® Produktuaren egoera FET aktibo mota N-Channel Teknologia MOSFET (Metal Oxidoa) ) Iturbururako tentsioa drainatzea (Vdss) 100 V Korrontea – Hustu etengabea (Id) @ 25 °C 8,8 A (Ta), 42 A (Tc) Drive-tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) 6 V, 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOh...
  • BSC100N06LS3G Kalitatearekin zirkuitu integratua berria eta originala

    BSC100N06LS3G Kalitatearekin zirkuitu integratua berria eta originala

    Produktuaren ezaugarriak MOTA DESKRIBAPENA Kategoria Produktu erdieroale diskretuak Transistoreak – FETak, MOSFETak – Fabrikatzaile bakarra Infineon Technologies Seriea OptiMOS™ Pakete Zinta eta Bobina (TR) Zinta Moztua (CT) Digi-Reel® Produktuaren egoera FET aktibo mota N-Channel Teknologia MOSFET (Metal Oxidoa) ) Iturbururako tentsioa drainatzea (Vdss) 60 V Korrontea – Hustu etengabea (Id) @ 25°C 12A (Ta), 50A (Tc) Drive-tentsioa (Gehien. @ Id, Vgs 10mOh...
  • BSC070N10NS3G Ic txipa prezio onenean kalitate handiko jatorrizko osagai elektronikoa

    BSC070N10NS3G Ic txipa prezio onenean kalitate handiko jatorrizko osagai elektronikoa

    Produktuaren ezaugarriak MOTA DESKRIBAPENA Kategoria Produktu erdieroale diskretuak Transistoreak – FETak, MOSFETak – Fabrikatzaile bakarra Infineon Technologies Seriea OptiMOS™ Pakete Zinta eta Bobina (TR) Zinta Moztua (CT) Digi-Reel® Produktuaren egoera FET aktibo mota N-Channel Teknologia MOSFET (Metal Oxidoa) ) Iturbururako tentsioa drainatzea (Vdss) 100 V Korrontea – Hustu etengabea (Id) @ 25°C 90A (Tc) Drive-tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 50A, 10V...
  • BSC060N10NS3G Zirkuitu Integratuko Ic txip berria eta jatorrizkoa BSC060N10NS3G

    BSC060N10NS3G Zirkuitu Integratuko Ic txip berria eta jatorrizkoa BSC060N10NS3G

    Produktuaren ezaugarriak MOTA DESKRIBAPENA Kategoria Produktu erdieroale diskretuak Transistoreak – FETak, MOSFETak – Fabrikatzaile bakarra Infineon Technologies Seriea OptiMOS™ Pakete Zinta eta Bobina (TR) Zinta Moztua (CT) Digi-Reel® Produktuaren egoera FET aktibo mota N-Channel Teknologia MOSFET (Metal Oxidoa) ) Iturbururako tentsioa drainatzea (Vdss) 100 V Korrontea – Hustu etengabea (Id) @ 25 °C 14,9 A (Ta), 90 A (Tc) Drive-tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) 6 V, 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOh...
  • Zirkuitu integratu berria eta jatorrizko salmenta beroa osagai elektronikoen IC txipa BSC016N06NS

    Zirkuitu integratu berria eta jatorrizko salmenta beroa osagai elektronikoen IC txipa BSC016N06NS

    Produktuaren ezaugarriak MOTA DESKRIBAPENA Kategoria Produktu erdieroale diskretuak Transistoreak – FETak, MOSFETak – Fabrikatzaile bakarra Infineon Technologies Seriea OptiMOS™ Pakete Zinta eta Bobina (TR) Zinta Moztua (CT) Digi-Reel® Produktuaren egoera FET aktibo mota N-Channel Teknologia MOSFET (Metal Oxidoa) ) Iturbururako tentsioa drainatzea (Vdss) 60 V Korrontea – Hustu etengabea (Id) @ 25°C 30A (Ta), 100A (Tc) Drive-tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1,6 mOh...
  • BFS481H6327 Zirkuitu Integratuak Korronte erregulazioa/kudeaketa Biderkatzaile analogikoak Zatitzaileak

    BFS481H6327 Zirkuitu Integratuak Korronte erregulazioa/kudeaketa Biderkatzaile analogikoak Zatitzaileak

    Produktuaren ezaugarriak MOTA DESKRIBAPENA Kategoria Produktu erdieroale diskretuak Transistoreak - Bipolarrak (BJT) - RF Fabrikatzaileak Infineon Technologies Seriea - Pakete-zinta eta bobina (TR) Zinta moztua (CT) Digi-Reel® Produktuen egoera Transistore aktiboa 2 motako NPN (bikoitza) Tentsioa - Kolektorea Igorlearen matxura (gehienez) 12V maiztasuna - Trantsizioa 8GHz Zarata irudia (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Irabazia 20dB Potentzia - Gehienez 175mW DC Korronte irabazia (hFE) (Min) ...