-
Osagai elektroniko berria eta originala IRF7103TRPBF IC txipa
Produktuaren atributuak MOTA DESKRIBAPENA Kategoria Produktu erdieroale diskretuak Transistoreak – FETak, MOSFETak – Array Fabrikatzailea Infineon Technologies Seriea HEXFET® Paketea Zinta eta bobina (TR) Zinta moztua (CT) Digi-Reel® Produktuaren egoera FET aktiboa 2 N-Channel (bikoitza) FET Ezaugarri Iturbururako tentsio estandarra (Vdss) 30 V Korrontea – Hustu etengabea (Id) @ 25 °C 6,5 A Rds On (Max) @ Id, Vgs 29 mOhm @ 5,8 A, 10 V Vgs (th) (Max) @ Id 1 V @ 250 µA Atearen karga (Qg) (gehienez... -
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Zirkuitu Integratuko IC txip berria eta jatorrizkoa
Produktuaren atributuak MOTA DESKRIBAPENA Kategoria Produktu erdieroale diskretuak Transistoreak – FETak, MOSFETak – Array Fabrikatzailea Infineon Technologies Seriea HEXFET® Paketea Zinta eta bobina (TR) Zinta moztua (CT) Digi-Reel® Produktuaren egoera FET aktiboa 2 N-Channel (bikoitza) FET Ezaugarri Iturbururako tentsio estandarra (Vdss) 50V Korrontea – Hustu etengabea (Id) @ 25°C 3A Rds On (gehienez) @ Id, Vgs 130mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Karga (Qg) (Max) @... -
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Zirkuitu Integratuko IC txip berria eta jatorrizkoa
Produktuaren atributuak MOTA DESKRIBAPENA Kategoria Produktu erdieroale diskretuak Transistoreak – FETak, MOSFETak – Array Fabrikatzailea Infineon Technologies Seriea HEXFET® Paketea Zinta eta bobina (TR) Zinta moztua (CT) Digi-Reel® Produktuaren egoera FET aktiboa 2 N-Channel (bikoitza) FET Ezaugarri Iturbururako tentsio estandarra (Vdss) 50V Korrontea – Hustu etengabea (Id) @ 25°C 3A Rds On (gehienez) @ Id, Vgs 130mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Karga (Qg) (Max) @... -
IRF4905STRLPBF Osagai elektroniko berriak eta jatorrizkoak IC Chip BOM Zerbitzua IRF4905STRLPBF
Produktuaren ezaugarriak MOTA DESKRIBAPENA Kategoria Produktu erdieroale diskretuak Transistoreak – FETak, MOSFETak – Fabrikatzaile bakarra Infineon Technologies Seriea HEXFET® Pakete Zinta eta Bobina (TR) Zinta Moztua (CT) Digi-Reel® Produktuaren Egoera FET Aktiboa Mota P-Channel Teknologia MOSFET (Metal Oxidoa) ) Iturbururako tentsioa drainatzea (Vdss) 55 V Korrontea – Drain etengabea (Id) @ 25°C 42A (Tc) Drive-tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 42A, 10V Vg... -
Jatorrizko osagai elektroniko berriak IC Txipa IRF3205STRLPBF Zirkuitu Integratuak
Produktuaren ezaugarriak MOTA DESKRIBAPENA Kategoria Produktu erdieroale diskretuak Transistoreak – FETak, MOSFETak – Fabrikatzaile bakarra Infineon Technologies Seriea HEXFET® Pakete Zinta eta Bobina (TR) Zinta Moztua (CT) Digi-Reel® Produktuen Egoera FET Aktiboa Mota N-Channel Teknologia MOSFET (Metal Oxidoa) ) Iturbururako tentsioa drainatzea (Vdss) 55 V Korrontea – Drain etengabea (Id) @ 25°C 110A (Tc) Drive-tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 62A, 10V Vg... -
IRF100S201 Abantaila Hornidura Stock Berria Jatorrizko Smart IC Chips BOM Zerbitzua IRF100S201-rako
Produktuaren ezaugarriak MOTA DESKRIBAPENA Kategoria Produktu erdieroale diskretuak Transistoreak – FETak, MOSFETak – Fabrikatzaile bakarra Infineon Technologies Seriea HEXFET®, StrongIRFET™ Paketea Zinta eta bobina (TR) Zinta moztua (CT) Digi-Reel® Produktuen egoera FET mota aktiboa N-Channel Teknologia MOSFET (Metal Oxidoa) Iturbururako tentsioa (Vdss) 100 V Korrontea – Etengabeko draina (Id) @ 25 °C 192 A (Tc) Drive-tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4,2 oh... -
IPW60R099P7 Jatorrizko berria stockean entrega azkarra IC txipa osagai elektronikoen BOM zerbitzua IPW60R099P7rako
Produktuaren Atributuak MOTA DESKRIBAPENA Kategoria Zirkuitu Integratuak (CI) Zirkuitu Integratuak (CI) IC Espezializatuak Fabrikatzailea Infineon Technologies Seriea - Paketea Produktuen egoera Aktiboak Dokumentuak eta euskarriak BALIABIDE MOTA ESTEKA Fitxak IPW60R099P7 Fitxa Fitxa Ingurumena eta Esportazio Sailkapenak ATRIBUTUAREN DESKRIBAPENA ECCN EAR99 HTSUS 895091. 156 -IPW60R099P7 INFINFIPW60R099P7 Pakete estandarra 1 Zirkuitu integratua... -
IPD135N08N3G Kalitate handiko zirkuitu integratua marka berria
Produktuaren ezaugarriak MOTA DESKRIBAPENA Kategoria Produktu erdieroale diskretuak Transistoreak – FETak, MOSFETak – Fabrikatzaile bakarra Infineon Technologies Seriea OptiMOS™ Paketea Zinta eta bobina (TR) Produktuen egoera Zaharkitua FET mota N-Channel Teknologia MOSFET (Metal Oxidoa) Iturburuko tentsioa (Vdss) 80 V Korrontea – Etengabeko draina (Id) @ 25°C 45A (Tc) Drive-tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) ( Max) @ Id... -
IPD036N04LG Salmenta beroko ICS berria eta jatorrizko kalitate handikoa
Produktuaren ezaugarriak MOTA DESKRIBAPENA Kategoria Produktu erdieroale diskretuak Transistoreak – FETak, MOSFETak – Fabrikatzaile bakarra Infineon Technologies Seriea OptiMOS™ 3 paketea Zinta eta bobina (TR) Zinta moztua (CT) Digi-Reel® Produktuaren egoera FET aktibo mota N-Channel Teknologia MOSFET (Metal Oxidoa) Iturbururako tentsioa (Vdss) 40 V Korrontea – Etengabeko draina (Id) @ 25 °C 90 A (Tc) Drive-tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) 4,5 V, 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3,6 mOhm @ 90 A... -
TO-252 IPD33CN10NG Kalitate handiko txip transistorearekin Prezio berria eta originala
Produktuaren ezaugarriak MOTA DESKRIBAPENA Kategoria Produktu erdieroale diskretuak Transistoreak – FETak, MOSFETak – Fabrikatzaile bakarra Infineon Technologies Seriea OptiMOS™ Pakete Zinta eta Bobina (TR) Zinta Moztua (CT) Digi-Reel® Produktuaren egoera FET aktibo mota N-Channel Teknologia MOSFET (Metal Oxidoa) ) Iturbururako tentsioa drainatzea (Vdss) 100 V Korrontea – Etengabeko drainamendua (Id) @ 25°C 27A (Tc) Drive-tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 27A, 10V... -
IPD031N06L3G jatorrizko osagai elektronikoen ic chip MCU BOM zerbitzua stockean IPD031N06L3G
Produktuaren ezaugarriak MOTA DESKRIBAPENA Kategoria Produktu erdieroale diskretuak Transistoreak – FETak, MOSFETak – Fabrikatzaile bakarra Infineon Technologies Seriea OptiMOS™ Pakete Zinta eta Bobina (TR) Zinta Moztua (CT) Digi-Reel® Produktuaren egoera FET aktibo mota N-Channel Teknologia MOSFET (Metal Oxidoa) ) Iturbururako tentsioa drainatzea (Vdss) 60 V Korrontea – Drain etengabea (Id) @ 25°C 100A (Tc) Drive-tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1 mOhm @ 100A... -
IMZA65R072M1H IC txipak Transistoreak Osagai elektronikoak Zirkuitu integratua Kondentsadorea IMZA65R072M1H
Produktuaren atributuak MOTA DESKRIBAPENA Kategoria Produktu erdieroale diskretuak Transistoreak – FETak, MOSFETak – Fabrikatzaile bakarra Infineon Technologies Seriea – Paketearen Hodiaren Produktuen egoera FET mota aktiboa – Teknologia – Korrontea – Hustu etengabea (Id) @ 25°C 28A (Tc) Disko-tentsioa (Rds gehienez) Aktibatuta, Min Rds Aktibatuta) - Rds Aktibatuta (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Vgs (Max) - FET Ezaugarri - Potentzia xahutzea (Max) - Funtzionamendu-tenperatura - Oinarrizko produktuaren zenbakia IMZA6.. .
